基本信息:
- 专利标题： 接地屏蔽结构和半导体器件
- 申请号：CN202211183259.5 申请日：2022-09-27
- 公开(公告)号：CN117832193A 公开(公告)日：2024-04-05
- 发明人： 王晓东 , 王西宁 , 钱蔚宏 , 刘慕义
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 唐嘉
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L23/528 ; H01L23/64
摘要：
一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：基底；多个有源区，所述多个有源区分布于所述衬底内；多个多晶硅栅条，多个所述多晶硅栅条分布于所述多个有源区上；第一导电结构，所述第一导电结构位于所述多个多晶硅栅条上，所述第一导电结构包括：多个第一金属段；接地环，所述接地环包围所述第一导电结构，所述接地环上具有接地点；第二导电结构，所述第二导电结构连接所述第一导电结构且延伸至所述接地环外与所述接地点相连。所述第二导电结构的长度更长，能够有效延长电流通道长度，能够有效增大所述接地屏蔽结构的电阻，能够有效抑制衬底损耗。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |