![一种基于超表面集成的硒化铅探测器及制备方法](/CN/2023/1/329/images/202311645913.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种基于超表面集成的硒化铅探测器及制备方法
- 申请号:CN202311645913.4 申请日:2023-11-30
- 公开(公告)号:CN117747690A 公开(公告)日:2024-03-22
- 发明人: 易飞 , 方锐 , 刘欢 , 李华曜 , 王俊亚 , 尤政
- 申请人: 华中科技大学 , 湖北光谷实验室
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 专利权人: 华中科技大学,湖北光谷实验室
- 当前专利权人: 华中科技大学,湖北光谷实验室
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理人: 李晓飞
- 主分类号: H01L31/09
- IPC分类号: H01L31/09 ; H01L31/0232 ; H01L31/032 ; H01L31/0216 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种基于超表面集成的硒化铅探测器及制备方法。硒化铅探测器包括:从下至上设置的硅片衬底、金属背板、第一介质层、硒化铅层、第二介质层和金属天线,以及设置在硒化铅层上的金属电极;第一介质层和第二介质层在硒化铅层和金属电极/金背板中间绝缘;金属天线为超表面微纳结构,选择性增强硒化铅层对响应带宽内预设波段的吸收率,抑制其他波段的吸收率;硒化铅层吸收预设波段的光场转化为电信号;金属电极包括两个长条形金属电极,分别设置在第二介质层的左右两侧;金属电极将硒化铅层产生的电信号输出,以探测预设波段的光信号。采用超表面技术解决硒化铅光电探测器响应度低和没有波长选择的问题,实现对特定波段检测并提高响应度。