基本信息:
- 专利标题： 蚀刻控制装置、蚀刻控制方法以及蚀刻控制系统
- 申请号：CN202311171770.8 申请日：2023-09-12
- 公开(公告)号：CN117747482A 公开(公告)日：2024-03-22
- 发明人： 鹤田丰久 , 丸本洋 , 李水根 , 榎本正志
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇; 李靖
- 优先权： 2022-148754 20220920 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; G05B19/408
摘要：
本公开提供一种蚀刻控制装置、蚀刻控制方法以及蚀刻控制系统，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。蚀刻控制装置具有：更新部，其更新表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型的参数以使模型最优化，所述工艺参数是用于控制用于对基板进行蚀刻的多个喷嘴的动作的参数；计算部，其使用由更新部更新参数后的模型，来计算与所指定的蚀刻量的分布对应的工艺参数；以及动作控制部，其使用工艺参数来控制多个喷嘴的动作。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |