基本信息:
- 专利标题： 氧化层厚度测量方法及装置
- 申请号：CN202311766795.2 申请日：2023-12-20
- 公开(公告)号：CN117747464A 公开(公告)日：2024-03-22
- 发明人： 张奔 , 金柱炫 , 孙毅
- 申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 申请人地址： 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室;
- 专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司,西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 当前专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司,西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室;
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 张博
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/67 ; G01B11/06
摘要：
本发明提供了一种氧化层厚度测量方法及装置，属于半导体制造技术领域。氧化层厚度测量方法，包括：在将晶圆送入紫外光腔室之前，对所述晶圆上每一区域的氧化膜厚度进行测量，得到第一厚度信息，其中，所述晶圆划分为多个区域；将所述晶圆送入紫外光腔室，在所述晶圆上生长氧化层；在生长氧化层后，对所述晶圆上每一区域的氧化膜厚度再次进行测量，得到第二厚度信息；利用所述第一厚度信息和所述第二厚度信息得到每一区域生长的氧化层的厚度。本发明的技术方案能够对电阻测试中的氧化层厚度进行监控。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |