基本信息:
- 专利标题： 一种高透光率IHO透明导电薄膜的制备方法
- 申请号：CN202311721706.2 申请日：2023-12-14
- 公开(公告)号：CN117737670A 公开(公告)日：2024-03-22
- 发明人： 赵晓芳 , 邱蓉 , 郑浩然 , 陈雪芳 , 孟昭光 , 林俊辉
- 申请人： 东莞理工学院
- 申请人地址： 广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号
- 专利权人： 东莞理工学院
- 当前专利权人： 东莞理工学院
- 当前专利权人地址： 广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号
- 代理机构： 北京汇彩知识产权代理有限公司
- 代理人： 宋春妮
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/08 ; H01B5/14 ; H01B13/00
摘要：
本发明公开了一种高透光率IHO透明导电薄膜的制备方法，经过球磨、过筛、预烧、烧结等靶材制作步骤制得In2O3掺HfO2靶材，采用磁控溅射技术，沉积厚度为500nm的IHO透明导电薄膜。溅射所采用的靶材预烧温度为1000℃，烧结温度为1100℃‑1300℃。本发明的IHO透明导电薄膜具有高的透光率(平均透光率大于95％)，同时原材料价廉，制备工艺简单。利用该发明制得的IHO透明导电薄膜制备相关薄膜材料电子元器件，可有效提升器件的光电性能，具有良好的应用前景。