基本信息:
- 专利标题： 一种用于离子束加速的次级电子周期性磁抑制结构
- 申请号：CN202311558803.4 申请日：2023-11-21
- 公开(公告)号：CN117729681A 公开(公告)日：2024-03-19
- 发明人： 陈立华 , 崔保群 , 唐兵 , 马鹰俊 , 马瑞刚 , 张一帆 , 马燮 , 陈浩南 , 李耀廷 , 王云峰
- 申请人： 中国原子能科学研究院
- 申请人地址： 北京市房山区新镇三强路1号院
- 专利权人： 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人： 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人地址： 北京市房山区新镇三强路1号院
- 代理机构： 北京天悦专利代理事务所
- 代理人： 田明; 任晓航
- 主分类号： H05H1/54
- IPC分类号： H05H1/54 ; H05H7/04 ; H05H7/00
摘要：
本发明公开了一种用于离子束加速的次级电子周期性磁抑制结构，涉及离子束加速技术领域，该结构包括多个加速单元，所述多个加速单元沿离子束的加速轴线同轴依次布置，每个所述加速单元内设置有单独的径向磁场模块，用于在所述加速单元内产生径向磁场，从而实现对所述加速单元内次级电子的抑制；每N个所述加速单元构成一个加速周期，每个加速周期内相邻加速单元的径向磁场方向沿顺时针或逆时针依次旋转设定角度，使得经过一个加速周期，加速单元的径向磁场偏转360度。本发明所提供的结构可有效减小次级电子抑制磁场对加速离子束运动方向的影响，使质子束在加速过程的运动方向沿着加速轴线，满足旁轴条件，不会对后续的加速和传输造成影响。