基本信息:
- 专利标题： 一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件
- 申请号：CN202311705692.5 申请日：2023-12-12
- 公开(公告)号：CN117702282A 公开(公告)日：2024-03-15
- 发明人： 宋立辉 , 皮孝东 , 杨德仁 , 刘帅 , 黄渊超 , 熊慧凡
- 申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
- 申请人地址： 浙江省杭州市萧山区建设三路733号
- 专利权人： 浙江大学杭州国际科创中心
- 当前专利权人： 浙江大学杭州国际科创中心
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市萧山区建设三路733号
- 代理机构： 杭州五洲普华专利代理事务所
- 代理人： 姚宇吉
- 主分类号： C30B33/04
- IPC分类号： C30B33/04 ; C30B33/02 ; C30B29/36 ; H01L21/04 ; H01L21/326 ; H01L29/16
摘要：
本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件，通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲，利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征，使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子，位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷，得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片，而且，得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀，可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。