基本信息:
- 专利标题： 与栅极全环绕技术兼容的输入/输出器件
- 申请号：CN202280050914.1 申请日：2022-07-21
- 公开(公告)号：CN117678063A 公开(公告)日：2024-03-08
- 发明人： V·莫洛兹 , R·B·莱弗茨 , 林锡伟 , 崔文纲
- 申请人： 美商新思科技有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 美商新思科技有限公司
- 当前专利权人： 美商新思科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 王茂华; 李春杰
- 优先权： 63/224,741 2021.07.22 US
- 国际申请： PCT/US2022/037891 2022.07.21
- 国际公布： WO2023/004052 EN 2023.01.26
- 进入国家日期： 2024-01-18
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L29/786 ; H01L29/775 ; H01L29/66 ; H01L29/06 ; H01L27/088
摘要：
一种集成电路(IC)芯片可以包括第一栅极全环绕(GAA)器件(102)和第二GAA器件(202)。第一GAA器件可以包括围绕第一组硅沟道(106)的第一组二氧化硅结构(108)、围绕第一组二氧化硅结构的第一组二氧化铪结构(110)和围绕第一组二氧化铪结构的第一金属结构(112)。第二GAA器件可以包括围绕第二组硅沟道(204)的第二组二氧化硅结构(206)和围绕第二组二氧化硅结构的第二金属结构(208)。第一组二氧化硅结构中的每个二氧化硅结构可以具有第一厚度。第二组二氧化硅结构中的每个二氧化硅结构可以具有大于第一厚度的第二厚度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |