基本信息:
- 专利标题： 图像传感器
- 申请号：CN202311138571.7 申请日：2023-09-05
- 公开(公告)号：CN117673104A 公开(公告)日：2024-03-08
- 发明人： A·克罗彻瑞 , A·奥斯特罗夫斯基 , J·瓦扬 , F·德努维尔
- 申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 法国原子能及替代能源委员会
- 申请人地址： 法国克洛尔
- 专利权人： 意法半导体(克洛尔2)公司,法国原子能及替代能源委员会
- 当前专利权人： 意法半导体(克洛尔2)公司,法国原子能及替代能源委员会
- 当前专利权人地址： 法国克洛尔
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 成城
- 优先权： 2208887 2022.09.06 FR
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
本公开涉及图像传感器。本说明书涉及一种形成在半导体衬底内部和顶部上的图像传感器，该传感器包括多个像素，每个像素包括形成在衬底中的光电检测器，该传感器包括至少第一和第二二维超颖表面，第一和第二二维超颖表面在所述多个像素前侧按此顺序堆叠，每个超颖表面由垫片的二维阵列形成，第一超颖表面具有第一光学功能，第二超颖表面具有不同于第一光学功能的第二光学功能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |