基本信息:
- 专利标题： 真空腔壁硼膜的刻蚀方法
- 申请号：CN202211089101.1 申请日：2022-09-07
- 公开(公告)号：CN117672791A 公开(公告)日：2024-03-08
- 发明人： 田小让 , 张国松 , 高子墨 , 赵冠超 , 于晶茹 , 李全
- 申请人： 新奥科技发展有限公司
- 申请人地址： 河北省廊坊市开发区广阳道北
- 专利权人： 新奥科技发展有限公司
- 当前专利权人： 新奥科技发展有限公司
- 当前专利权人地址： 河北省廊坊市开发区广阳道北
- 代理机构： 北京开阳星知识产权代理有限公司
- 代理人： 程杰
- 主分类号： H01J37/305
- IPC分类号： H01J37/305 ; H01J37/32 ; G21B1/17 ; C23C16/44
摘要：
本发明涉及一种真空腔壁硼膜的刻蚀方法，属于聚变技术领域。该刻蚀方法包括向聚变装置的真空腔室内通入氢气辅助三氟化氮在辉光放电条件下对硼膜进行刻蚀，实现了有效降低断辉和辉光不稳定发生概率的技术目的，且刻蚀速率更快，硼膜刻蚀更完整，在硼膜刻蚀后，清除残留氟离子需要的时间更短，在工业化刻蚀中具备较好应用前景。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/305 | ..用于浇铸、熔化、蒸发或浸蚀的 |