基本信息:
- 专利标题： 提高晶圆表面洁净度的晶圆清洗方法
- 申请号：CN202311663940.4 申请日：2023-12-06
- 公开(公告)号：CN117637441A 公开(公告)日：2024-03-01
- 发明人： 朱长林 , 彭芳草 , 曹一 , 张圆圆 , 陈益民 , 张吉 , 迟殿鑫 , 黄晓峰
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆乐泰知识产权代理事务所
- 代理人： 陈俊国
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; B08B3/04 ; B08B3/08
摘要：
本发明涉及一种提高晶圆表面洁净度的晶圆清洗方法，包括：采用泛曝光工艺对晶圆表面进行泛曝光；采用碱性显影液对晶圆表面进行显影；采用清洗液对晶圆表面进行冲洗。本发明中，通过泛曝光工艺对晶圆表面进行曝光后，再采用碱性显影液对晶圆表面进行显影，并采用清洗液冲洗，可以有效去除芯片表面酸性物质、颗粒和金属离子；解决了现有湿法去胶和干法去胶后晶圆表面还存在颗粒、有机物、金属离子等污染物带来的晶圆表面洁净度和影响芯片可靠性的问题，提供了一种芯片制作过程中高效去除晶圆表面污染物的可靠方案。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |