![一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法](/CN/2024/1/22/images/202410112396.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法
- 申请号:CN202410112396.2 申请日:2024-01-26
- 公开(公告)号:CN117626407B 公开(公告)日:2024-04-09
- 发明人: 柯尊斌 , 陆敏 , 王晗 , 吴信杠 , 王欣
- 申请人: 常州臻晶半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
- 专利权人: 常州臻晶半导体有限公司
- 当前专利权人: 常州臻晶半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
- 代理机构: 常州市科佑新创专利代理有限公司
- 代理人: 汤勇
- 主分类号: C30B15/00
- IPC分类号: C30B15/00 ; C30B29/36
摘要:
本发明涉及晶体生长技术领域,具体涉及一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法;本发明提供了一种液相法高效生长碳化硅单晶系统,包括:坩埚、提拉杆、籽晶层和清理稳定部,所述提拉杆垂直固定在籽晶层上,所述提拉杆适于驱动籽晶层插入坩埚内;所述清理稳定部固定在坩埚上方,所述清理稳定部与提拉杆和子晶层联动;其中,清理稳定部的外活动端向下移动,清理稳定部的内活动端适于与籽晶层底壁抵接;清理稳定部的内活动端自内向外翻转的过程中,适于清理籽晶层下表面的灰尘;通过清理稳定部的设置,提高了籽晶层移动时的稳定性。
公开/授权文献:
- CN117626407A 一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法 公开/授权日:2024-03-01