基本信息:
- 专利标题： 一种IGBT器件
- 申请号：CN202410057218.4 申请日：2024-01-16
- 公开(公告)号：CN117577676B 公开(公告)日：2024-04-19
- 发明人： 祁金伟 , 兰金龙
- 申请人： 苏州华太电子技术股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层
- 专利权人： 苏州华太电子技术股份有限公司
- 当前专利权人： 苏州华太电子技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层
- 代理机构： 北京科慧致远知识产权代理有限公司
- 代理人： 宋珊珊
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L29/36
摘要：
本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括：第一掺杂类型的漂移区；形成在所述漂移区内沿横向方向间隔设置的多个第二掺杂类型的柱区；第一掺杂类型的过渡层，连接在所述柱区之下；其中，所述过渡层的厚度大于2微米小于等于11微米，所述过渡层的掺杂浓度的取值范围为大于等于2.4×1014/cm3小于等于2.4×1016/cm3。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件在关断阶段的拖尾电流导致关断能量损耗较大的技术问题。
公开/授权文献:
- CN117577676A 一种IGBT器件 公开/授权日：2024-02-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |