基本信息:
- 专利标题： 多线圈可调节电阻辅助加热MPCVD装置及生长金刚石薄膜方法
- 申请号：CN202311829389.6 申请日：2023-12-27
- 公开(公告)号：CN117551988A 公开(公告)日：2024-02-13
- 发明人： 彭燕 , 王英楠 , 胡秀飞 , 徐现刚
- 申请人： 山东大学
- 申请人地址： 山东省济南市历城区山大南路27号
- 专利权人： 山东大学
- 当前专利权人： 山东大学
- 当前专利权人地址： 山东省济南市历城区山大南路27号
- 代理机构： 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理人： 潘杰
- 主分类号： C23C16/511
- IPC分类号： C23C16/511 ; C23C18/32 ; C23C18/42 ; C23C16/27
摘要：
本发明属于化学气相沉积技术和金刚石薄膜制备技术领域，具体涉及一种多线圈可调节电阻辅助加热MPCVD装置及生长金刚石薄膜方法。多线圈可调节电阻辅助加热MPCVD装置包括反应室和连接于反应室顶部的波导管，反应室和波导管通过石英板隔断，反应室内设置有环形基片台、冷却水路和多线圈可调节电阻辅助加热器，环形基片台上放置凹槽状的钼托，多线圈可调节电阻辅助加热器连接设置于环形基片台的下方，冷却水路连接设置于多线圈可调节电阻辅助加热器的下方，多线圈可调节电阻辅助加热器中的各线圈功率单独可调。本发明多线圈可调节电阻辅助加热器中，能够保证基片台和衬底表面温度的稳定性和高均匀性，同时可降低因过大温降而造成的应力。