专利号CN98812716.4 | GaN单晶衬底及其制造方法

专利标题： GaN单晶衬底及其制造方法
专利标题（英）：GaN signale crystalline substrate and method of producing the same
申请号：CN98812716.4 申请日：1998-10-29
公开(公告)号：CN1175473C 公开(公告)日：2004-11-10
发明人：元木健作 , 冈久拓司 , 松本直树
申请人：住友电气工业株式会社
申请人地址：日本大阪府
专利权人：住友电气工业株式会社
当前专利权人：住友电气工业株式会社
当前专利权人地址：日本大阪府
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：李晓舒
优先权： 298300/1997 1997.10.30 JP; 9008/1998 1998.01.20 JP; 102546/1998 1998.04.14 JP
国际申请： PCT/JP1998/004908 1998.10.29
国际公布： WO1999/023693 JA 1999.05.14
进入国家日期： 2000-06-27
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20 ; H01L33/00

摘要：

一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底2上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8；和外延层生成工序，在屏蔽层8上，生长由GaN构成的外延层12。

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

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