
基本信息:
- 专利标题: 减薄测厚方法、系统及减薄装置
- 申请号:CN202311471529.7 申请日:2023-11-07
- 公开(公告)号:CN117506702A 公开(公告)日:2024-02-06
- 发明人: 周旭平 , 高阳 , 孙志超 , 赵锋 , 童永娟 , 葛凡
- 申请人: 江苏京创先进电子科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市常熟市经济技术开发区海城路2号9幢
- 专利权人: 江苏京创先进电子科技有限公司
- 当前专利权人: 江苏京创先进电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市常熟市经济技术开发区海城路2号9幢
- 代理机构: 南京艾普利德知识产权代理事务所
- 代理人: 顾祥安
- 主分类号: B24B37/005
- IPC分类号: B24B37/005 ; H01L21/66 ; H01L21/67 ; B24B49/02 ; B24B49/12 ; B24B37/04 ; B24B7/22
摘要:
本发明揭示了减薄测厚方法、系统及减薄装置,其中减薄测厚方法在每个晶圆加工时,可以根据晶圆的初始厚度和要减薄到的厚度来确定晶圆是否超量程,并结合第一测厚组件的升降来采用不同的检测方式,能够有效地满足晶圆的初始厚度超过测厚机构的量程和未超过测厚机构的量程的测高要求,而在确定晶圆的初始厚度超过测厚机构的量程后,能够进一步识别晶圆要减薄到的厚度是否超量程,从而可以在晶圆要减薄到的厚度未超过测厚机构的量程时,通过第一测厚组件的测得的数据来测高;而在晶圆要减薄到的厚度超量程时,不再通过第一测厚组件的检测数据来测厚,而是通过第一测厚组件的下移行程来测厚,有效满足了不同需要的测厚需要。
IPC结构图谱:
B | 作业;运输 |
--B24 | 磨削;抛光 |
----B24B | 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺;磨具磨损表面的修理或调节;磨削,抛光剂或研磨剂的进给 |
------B24B37/00 | 研磨机床或装置,即需要在相对软但仍为刚性的研具和被研磨表面之间加入粉末状磨料;及其附件 |
--------B24B37/005 | .研磨机床或装置的控制装置 |