基本信息:
- 专利标题： 功率电子器件模块
- 申请号：CN202310952715.6 申请日：2023-07-31
- 公开(公告)号：CN117497504A 公开(公告)日：2024-02-02
- 发明人： 阿克·埃瓦尔德 , 斯特凡·海因 , 法比安·霍曼
- 申请人： 采埃孚股份公司
- 申请人地址： 德国腓特烈港
- 专利权人： 采埃孚股份公司
- 当前专利权人： 采埃孚股份公司
- 当前专利权人地址： 德国腓特烈港
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 潘小军; 韩毅
- 优先权： 102022207922.1 2022.08.01 DE
- 主分类号： H01L23/495
- IPC分类号： H01L23/495 ; H01L21/48 ; H01L21/60 ; H02M1/00 ; H02M7/48 ; H02P27/06 ; H02P25/00
摘要：
功率电子器件模块具有：DBC电路板；以及多层引线框架，其中，多层引线框架由子框架构成。多层引线框架的子区域设立成用于充当漏极源极和/或负载源极和/或栅极源极和/或开尔文源极的电接触部，使不在DBC电路板上进行功率和控制引导。充当负载源极的子区域的区域布置在DBC电路板与充当栅极源极和开尔文源极的子区域之间并与功率半导体电接触且与之联接的区域位于DBC电路板之外。充当漏极源极的子区域的区域与漏极电接触且与之联接的区域位于DBC电路板之外。充当栅极源极的子区域和充当开尔文源极的子区域具有在充当负载源极的子区域上方的使它们与功率半导体电接触的区域以及与之联接的在DBC电路板之外的与充当栅极源极的子区域对置且具有向DBC电路板上方折弯的引脚的区域。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/495 | ...引线框架的 |