基本信息:
- 专利标题： 用于EUV光刻的护膜
- 申请号：CN202310918875.9 申请日：2023-07-25
- 公开(公告)号：CN117471844A 公开(公告)日：2024-01-30
- 发明人： 洪朱憙 , 朴铁均 , 崔文洙 , 金东会
- 申请人： 思而施技术株式会社
- 申请人地址： 韩国大邱广域市达西区虎山洞路42
- 专利权人： 思而施技术株式会社
- 当前专利权人： 思而施技术株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国大邱广域市达西区虎山洞路42
- 代理机构： 北京汇泽知识产权代理有限公司
- 代理人： 亓赢
- 优先权： 10-2022-0093912 2022.07.28 KR
- 主分类号： G03F1/48
- IPC分类号： G03F1/48
摘要：
护膜具有允许透射EUV曝光光的护膜部分。所述护膜部分包括用于辐射由EUV曝光光的辐照产生的热的热辐射层。所述热辐射层包括金属及硅，且所述热辐射层的金属含量大于硅含量。此确保了90％或更大的高透射率，同时改进了所述护膜部分的热辐射性能，使得其可应用于600W或更大的EUV曝光光功率。