基本信息:
- 专利标题： 一种基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关
- 申请号：CN202210815698.7 申请日：2022-07-12
- 公开(公告)号：CN117438453A 公开(公告)日：2024-01-23
- 发明人： 蒋春萍 , 杨帆
- 申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 清华大学
- 申请人地址： 江苏省苏州市工业园区若水路398号
- 专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,清华大学
- 当前专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,清华大学
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市工业园区若水路398号
- 代理机构： 苏州市中南伟业知识产权代理事务所
- 代理人： 苏张林
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/45 ; H01P1/15
摘要：
本发明公开了一种基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关，包括衬底、形成于衬底上的缓冲层，所述太赫兹相控阵无栅调控开关还包括：二维电子气台面层，自下而上依次由沟道层、本征隔离层、掺杂层和帽层组成，且所述二维电子气台面层包括呈多个第一台面层以及一线状的第二台面层，所述多个第一台面层呈阵列式分布，所述第二台面层将所述多个第一台面层从中部串联连接；多对金属复合导电层，分别形成于所述第一台面层两端的帽层上；多对天线，分别形成于所述第一台面层两端的帽层上，且位于所述金属复合导电层的两侧，并与所述金属复合导电层在横向上具有交叠区；以及欧姆电极，与所述第二台面层的一端部欧姆接触。本发明的基于HEMT的太赫兹相控阵无栅调控开关，结构简单，无需制备栅极，加工工艺成熟，制作方便，成品率高。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT |