基本信息:
- 专利标题： 基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序
- 申请号：CN202310862834.2 申请日：2023-07-14
- 公开(公告)号：CN117434801A 公开(公告)日：2024-01-23
- 发明人： 鬼塚智也 , 川上真一路 , 源岛久志
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇; 李靖
- 优先权： 2022-116959 2022.07.22 JP
- 主分类号： G03F7/38
- IPC分类号： G03F7/38 ; H01L21/67
摘要：
本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理单元(U4)，其对覆膜被实施了曝光处理的工件(W)进行加热处理；显影单元(U3)，其对被实施了加热处理的工件(W)的覆膜进行显影处理；以及作为气体接触部的气体供给单元(U6)，在从曝光处理之后起到进行显影处理之前的期间，该气体供给单元(U6)使覆膜与非活性气体接触。