基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN202311634164.5 申请日：2023-11-30
- 公开(公告)号：CN117423653A 公开(公告)日：2024-01-19
- 发明人： 王加鑫 , 马小波 , 李明
- 申请人： 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
- 专利权人： 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司
- 当前专利权人： 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 赵林琳; 王丽辉
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/8238 ; H01L27/092
摘要：
本发明涉及一种半导体器件，包括：半导体主体，其包括衬底、埋层及外延层，衬底具有第一掺杂类型，埋层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；第一沟槽，从外延层的顶表面延伸到埋层中；第二沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第三沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第二沟槽位于第一沟槽与第三沟槽之间；第一深沟槽结构设置在第一沟槽中且用于隔离不同器件区域并将埋层电连接至外延层的顶表面；第二深沟槽结构设置在第二沟槽中且用于隔离不同器件区域；第三深沟槽结构设置在第三沟槽中且用于隔离不同器件区域并将衬底电连接至外延层的顶表面；在第二深沟槽结构的底部处具有由第二掺杂类型的掺杂物所形成的掺杂区。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |