基本信息:
- 专利标题： 一种具有晶面取向的硅酸镥单晶及其制备方法
- 申请号：CN202311635134.6 申请日：2023-12-01
- 公开(公告)号：CN117418315A 公开(公告)日：2024-01-19
- 发明人： 范灵聪 , 王雪峰 , 潘恒
- 申请人： 上海大学
- 申请人地址： 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人： 上海大学
- 当前专利权人： 上海大学
- 当前专利权人地址： 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构： 南京苏创专利代理事务所
- 代理人： 吴太平
- 主分类号： C30B29/34
- IPC分类号： C30B29/34 ; C30B1/12 ; C30B1/02
摘要：
本发明公开了一种具有晶面取向的硅酸镥单晶及其制备方法，通过溶胶凝胶法制备铈掺杂硅酸镥前驱体，铈掺杂硅酸镥可简称为LSO:Ce，再经过1000℃煅烧2h获得LSO:Ce陶瓷粉体，将合成的LSO:Ce粉体与具有晶面取向的硅酸钇镥单晶一起经过干压、冷等静压成型形成生坯，然后经过氩气气氛下高温高压烧结，在烧结过程中，晶粒会通过固相扩散沿着籽晶连续生长，在固态条件下发生单晶化，最终获得定向的LSO:Ce单晶。本发明制备定向的LSO:Ce单晶，具有结构致密、生长晶体尺寸可控、生长单晶层厚、没有元素偏析的特点，可双面生长的创新性，同时具有可将Lu换成其他稀土元素或掺杂不同比例的稀土的优势。