基本信息:
- 专利标题： 一种磁约束三维等离子体射流阵列方法及系统
- 申请号：CN202311187393.7 申请日：2023-09-14
- 公开(公告)号：CN117336935A 公开(公告)日：2024-01-02
- 发明人： 王长全 , 李光辉
- 申请人： 北京劳动保障职业学院
- 申请人地址： 北京市朝阳区惠新东街5号
- 专利权人： 北京劳动保障职业学院
- 当前专利权人： 北京劳动保障职业学院
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区惠新东街5号
- 代理机构： 北京麦汇智云知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈博
- 主分类号： H05H1/24
- IPC分类号： H05H1/24 ; H05H1/10 ; H05H1/00
摘要：
本发明公开了一种磁约束三维等离子体射流阵列方法及系统，该方法包括：步骤一，通过高压供电单元产生放电高压到射流阵列的高低压电极间；步骤二，通过高压供气单元输送放电反应气体至位置三维等离子体射流阵列单元中可调节的三维射流阵列放电室；步骤三，通过磁约束单元对放电区域产生的等离子体进行约束；步骤四，通过测量单元测量电参数和光学参数可根据需要调节阵列结构中的单个或多个射流单元，从而构成可调节的三维射流阵列结构，其系统包括：高压供电单元、高压供气单元、磁约束单元、三维等离子体射流阵列单元和测量单元。