
基本信息:
- 专利标题: 一种羟基低聚倍半硅氧烷及其制备方法
- 申请号:CN202311239953.9 申请日:2023-09-25
- 公开(公告)号:CN117285561A 公开(公告)日:2023-12-26
- 发明人: 高鹏飞 , 张海洋 , 张彦 , 王永钊
- 申请人: 山西大学
- 申请人地址: 山西省太原市坞城路92号
- 专利权人: 山西大学
- 当前专利权人: 山西大学
- 当前专利权人地址: 山西省太原市坞城路92号
- 代理机构: 太原倍智知识产权代理事务所
- 代理人: 张宏
- 主分类号: C07F7/21
- IPC分类号: C07F7/21 ; D01F8/10 ; D01F8/16
摘要:
本发明公开了一种羟基低聚倍半硅氧烷及其制备方法,所述羟基低聚倍半硅氧烷结构式如式1所示。将氨丙基三烷氧基硅烷、卤代醇、缚酸剂和甲苯混合,在50℃‑80℃下反应4‑6小时后,分离出固体,液体蒸馏出甲苯和未反应的原料,剩余液体即为羟基多面体低聚倍半硅氧烷前驱体;上述前驱体中加入催化剂和蒸馏水,在室温下搅拌反应1‑3小时,减压蒸馏回收溶剂水,得到粗产品;室温下,粗产品经洗涤、过滤,并进行真空干燥,得到所述的羟基低聚倍半硅氧烷。本发明使用溶胶凝胶法一步合成羟基官能团低聚倍半硅氧烷,合成过程简单、合成周期较短,降低了羟基POSS的生产成本。#imgabs0#
IPC结构图谱:
C | 化学;冶金 |
--C07 | 有机化学 |
----C07F | 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环,碳环或杂环化合物 |
------C07F7/00 | 含周期表第Ⅳ族元素的化合物 |
--------C07F7/02 | .硅化合物 |
----------C07F7/21 | ..具有至少1个含硅而不含碳的环的环状化合物 |