基本信息:
- 专利标题： 一种变压器中性点直流偏磁抑制电路
- 申请号：CN202311261137.8 申请日：2023-09-27
- 公开(公告)号：CN117277219A 公开(公告)日：2023-12-22
- 发明人： 曾祥君 , 喻锟 , 卓超 , 倪砚茹 , 程新翔 , 唐雨杭
- 申请人： 长沙理工大学
- 申请人地址： 湖南省长沙市天心区万家丽南路2段960号
- 专利权人： 长沙理工大学
- 当前专利权人： 长沙理工大学
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市天心区万家丽南路2段960号
- 代理机构： 长沙市融智专利事务所
- 代理人： 熊开兰
- 主分类号： H02H7/04
- IPC分类号： H02H7/04
摘要：
本发明公开了一种变压器中性点直流偏磁抑制电路，包括偏磁抑制单元和调压控制单元；所述偏磁抑制单元由若干个大功率二极管串并联构成，串接于变压器中性点和大地之间；其中的部分二极管同向串联构成共用支路T，与其余二极管形成2条不同导通方向的偏磁抑制支路；所述调压控制单元VRC用于：根据抑制电路两端电位差控制共用支路T上的二极管投入数量。本发明利用大功率二极管的正向导通特性和大电流耐受能力，实现直流偏磁抑制及故障时中性点直接接地效果，同时利用调压控制单元，可以根据实际情况调控共用支路二极管的投入数量，进一步降低工程成本。