基本信息:
- 专利标题： 曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法
- 申请号：CN202311217958.1 申请日：2021-04-02
- 公开(公告)号：CN117270314A 公开(公告)日：2023-12-22
- 发明人： 小野阳介 , 石川比佐子 , 小川亮平 , 大久保敦 , 高村一夫 , 关口贵子 , 加藤雄一 , 山田健郎 , 周英
- 申请人： 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 三井化学株式会社,国立研究开发法人产业技术综合研究所
- 当前专利权人： 三井化学株式会社,国立研究开发法人产业技术综合研究所
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 钟海胜; 胡玉美
- 优先权： 2020-074343 2020.04.17 JP
- 主分类号： G03F1/62
- IPC分类号： G03F1/62 ; G03F7/20 ; C01B32/168 ; C01B32/17 ; B82Y40/00
摘要：
本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G03 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术 |
| ----G03F | 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备 |
| ------G03F1/00 | 用于图纹面的照相制版的原版的制备 |
| --------G03F1/62 | .薄膜或薄膜集合，例如在支持框架上具有薄膜；其制备 |