基本信息:
- 专利标题： 一种特高压GIL三支柱绝缘子炸裂击穿的模拟方法
- 申请号：CN202311242408.5 申请日：2023-09-25
- 公开(公告)号：CN117236126A 公开(公告)日：2023-12-15
- 发明人： 杜伯学 , 董佳楠 , 梁虎成 , 郭志君
- 申请人： 天津大学
- 申请人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人： 天津大学
- 当前专利权人： 天津大学
- 当前专利权人地址： 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构： 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理人： 吴学颖
- 主分类号： G06F30/23
- IPC分类号： G06F30/23 ; G06F30/10 ; G06F17/11 ; G06F113/26 ; G06F119/14
摘要：
本发明公开了一种特高压GIL三支柱绝缘子炸裂击穿的模拟方法：测量并获得环氧树脂/氧化铝复合材料参数；建立三支柱绝缘子几何模型；建立电场、应力场、相场及其耦合控制方程；在三支柱绝缘子几何模型区域内迭代求解电场、应力场、相场及其耦合控制方程，直到高压导体与接地外壳之间形成贯穿的击穿相通道或达到最大仿真时间；获得炸裂击穿演变过程，包括不同时间下的三支柱绝缘子电场分布、应力分布及击穿通道形貌。本发明考虑了相场模型在电、力载荷下模拟三支柱绝缘子炸裂击穿的问题，能够更加高效准确地预测炸裂击穿形貌。
IPC结构图谱:
| G06F30/23 | 使用有限元方法（FEM）或有限差方法（FDM） |