基本信息:
- 专利标题： 一种LaTb共掺杂ITO靶材及其制备方法与应用
- 申请号：CN202311225254.9 申请日：2023-09-21
- 公开(公告)号：CN117229051A 公开(公告)日：2023-12-15
- 发明人： 唐安泰 , 唐智勇
- 申请人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
- 申请人地址： 湖南省株洲市天元区湘芸路2586号
- 专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
- 当前专利权人： 株洲火炬安泰新材料有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省株洲市天元区湘芸路2586号
- 代理机构： 湖南正则奇美专利代理事务所
- 代理人： 杨朔
- 主分类号： C04B35/453
- IPC分类号： C04B35/453 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; C04B35/632 ; C04B35/626 ; C23C14/08 ; C23C14/35
摘要：
本发明公开了一种LaTb共掺杂ITO靶材及其制备方法与应用，涉及靶材技术领域，包括以下重量份数的制备原料：氧化铟100份、氧化锡10份～12份、氧化镧3份～5份、氧化铽1.5份～2.5份、硅烷偶联剂1份～2份、钛酸酯偶联剂3份～4份、十六烷基苯磺酸钠25份～35份、水1000份～1500份和醇100份～200份。本发明通过对靶材的制备原料进行控制，从而制得了透光率高且电阻小的靶材。
公开/授权文献:
- CN117229051B 一种LaTb共掺杂ITO靶材及其制备方法与应用 公开/授权日：2024-05-10