基本信息:
- 专利标题： 一种具有双触发栅电极的氧化镓异质结晶闸管及其制备方法
- 申请号：CN202311469865.8 申请日：2023-11-07
- 公开(公告)号：CN117219666B 公开(公告)日：2024-01-26
- 发明人： 李明哲 , 徐少东 , 朱厉阳 , 彭若诗 , 陈伟 , 袁俊
- 申请人： 湖北九峰山实验室
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层
- 专利权人： 湖北九峰山实验室
- 当前专利权人： 湖北九峰山实验室
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层
- 代理机构： 武汉蓝宝石专利代理事务所
- 代理人： 邹航
- 主分类号： H01L29/747
- IPC分类号： H01L29/747 ; H01L29/24 ; H01L29/423 ; H01L21/34 ; H01L21/44
摘要：
本发明提供一种具有双触发栅电极的氧化镓异质结晶闸管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该晶闸管自下至上依次包括阳极、由第一p型氮化物或/和第一p型氧化物沉积的第一p型半导体层、第一n型氧化镓层、由第二p型氮化物或/和第二p型氧化物沉积的第二p型半导体层、第二n型氧化镓层和阴极。该晶闸管的一侧沉积有隔离层，该隔离层中沉积有与第二p型半导体层接触的第一栅电极和与第一n型氧化镓层接触的第二栅电极。该晶闸管采用p型氮化物或/和p型氧化物与n型氧化镓形成异质结，能使其在更高的温度、电压以及更恶劣环境下稳定工作。通过合理控制第一栅电极和第二栅电极的开关，能实现对晶闸管的双向控制。
公开/授权文献:
- CN117219666A 一种具有双触发栅电极的氧化镓异质结晶闸管及其制备方法 公开/授权日：2023-12-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/747 | .....双向型器，如双向三端晶闸管 |