基本信息:
- 专利标题： 降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法
- 申请号：CN202311397334.2 申请日：2023-10-26
- 公开(公告)号：CN117202765A 公开(公告)日：2023-12-08
- 发明人： 张静言 , 窦鹏伟 , 王守国 , 冯量予 , 邱全高
- 申请人： 北京科技大学
- 申请人地址： 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人： 北京科技大学
- 当前专利权人： 北京科技大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构： 北京市隆安律师事务所
- 代理人： 杨云
- 主分类号： H10N52/85
- IPC分类号： H10N52/85 ; H10N52/01 ; C23C14/35 ; C23C14/14 ; C23C14/08 ; C23C14/06 ; C30B29/02 ; C30B29/16 ; C30B29/20 ; C30B29/38 ; C30B25/02
摘要：
本发明公开了一种降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法，其结构包括：种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；利用磁控溅射系统/分子束外延系统制备种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；其中设置位置可调的楔形挡板附件制备自旋流发生层、金属功能层；制备种子层时，控制腔室真空度在1.0×10‑6～7.0×10‑7 Pa，温度为25℃至220℃。本发明通过该方法制备的磁性多层膜方式简易经济，可稳定降低自旋轨道矩诱导磁化翻转的临界电流密度，从而降低能量消耗。
公开/授权文献:
- CN117202765B 降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法 公开/授权日：2024-02-09