基本信息:
- 专利标题： 一种低温氟化处理的含钴无序富锂锰基尖晶石及其作为锂电池的应用
- 申请号：CN202311040032.X 申请日：2023-08-17
- 公开(公告)号：CN117185353A 公开(公告)日：2023-12-08
- 发明人： 李瑀 , 徐航 , 彭聪 , 封伟
- 申请人： 北京化工大学
- 申请人地址： 北京市朝阳区北三环东路15号北京化工大学
- 专利权人： 北京化工大学
- 当前专利权人： 北京化工大学
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北三环东路15号北京化工大学
- 代理机构： 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王宇
- 主分类号： C01G45/12
- IPC分类号： C01G45/12 ; H01M4/505 ; H01M10/052 ; H01M4/04 ; H01M4/13915 ; H01M4/1315
摘要：
本发明公开了一种低温氟化处理的含钴无序富锂锰基尖晶石及其作为锂电池的应用。所述的低温氟化处理的含钴无序富锂锰基尖晶石的制备方法为：将层状锰酸锂、二氧化锰、三氧化二锰和氟化钴混合后在密封球磨机中球磨，然后转入氟化炉中，先用氮气吹扫，再通入氮气和氟气的混合气体进行氟化反应。本发明采用低温氟化的方法处理含钴无序富锂锰基尖晶石，在其表面改性生成氟化锂保护层，可减缓正极受电解液的腐蚀程度以及自身材料的结构崩坏的速度，将其作为锂金属电池正极材料，显著提升了材料能量密度、容量保持率和循环稳定性。