基本信息:
- 专利标题： 一种基于纳米结构的高颜色转换效率的Micro-LED制备方法和Micro-LED
- 申请号：CN202311115299.0 申请日：2023-08-31
- 公开(公告)号：CN117153957A 公开(公告)日：2023-12-01
- 发明人： 郭伟玲 , 方奥琪 , 杜在发 , 孙捷 , 许昊
- 申请人： 北京工业大学
- 申请人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人： 北京工业大学
- 当前专利权人： 北京工业大学
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构： 北京连和连知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘小峰; 杨帆
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/42 ; H01L33/50 ; H01L33/24 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种基于纳米结构的高颜色转换效率的Micro‑LED制备方法和Micro‑LED，方法包括：对GaN基LED外延片进行加工形成纳米柱阵列和P/N电极；将金属纳米颗粒和量子点的混合溶液填充进纳米柱阵列的缝隙中；在外延片表层转移一层或多层石墨烯，并处理形成石墨烯透明导电电极，连通单个的纳米柱。本发明的方法利用纳米柱能够较少牺牲有源区面积的优势，以及金属纳米颗粒能够提升量子点能量转换效率的特点，设计了一种含有金属纳米颗粒和量子点的利用石墨烯联通的纳米柱阵列型Micro‑LED，以此提升基于量子点的Micro‑LED的颜色转换效率。