![晶体硅太阳能电池及其制备方法](/CN/2023/1/212/images/202311060838.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 晶体硅太阳能电池及其制备方法
- 申请号:CN202311060838.5 申请日:2023-08-22
- 公开(公告)号:CN117153905A 公开(公告)日:2023-12-01
- 发明人: 高纪凡 , 王昭 , 王子港 , 吴魁艺 , 陈达明 , 陈奕峰
- 申请人: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 专利权人: 天合光能股份有限公司,天合光能(常州)科技有限公司
- 当前专利权人: 天合光能股份有限公司,天合光能(常州)科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 代理机构: 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人: 王花花
- 主分类号: H01L31/0224
- IPC分类号: H01L31/0224 ; H01L31/18 ; H01L31/06
摘要:
本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法。晶体硅太阳能电池包括硅基底、设置于硅基底的第一表面一侧的p型掺杂层,以及设置于p型掺杂层远离硅基底一侧,且与p型掺杂层电连接的第一电极图案;第一表面为硅基底沿其厚度方向相背设置的两个表面中的任意一个表面。本申请提供的制备方法能够避免高温烧结,降低接触电阻,提高开路电压。