基本信息:
- 专利标题： 半导体器件的制造方法及半导体器件
- 申请号：CN202311108014.0 申请日：2023-08-30
- 公开(公告)号：CN117134727A 公开(公告)日：2023-11-28
- 发明人： 魏青云 , 赖志国 , 杨清华
- 申请人： 苏州汉天下电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区NE-39幢
- 专利权人： 苏州汉天下电子有限公司
- 当前专利权人： 苏州汉天下电子有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区NE-39幢
- 代理机构： 北京元合联合知识产权代理事务所
- 代理人： 李非非
- 主分类号： H03H3/02
- IPC分类号： H03H3/02 ; H10N30/057 ; H10N30/06 ; H10N30/00 ; H10N30/50 ; H10N30/87 ; H03H9/17 ; H03H9/56 ; H03H9/58
摘要：
本发明提供了半导体器件的制造方法，包括提供衬底；在衬底上表面的第一区域内形成凹槽和填充其的第一牺牲层，在衬底上表面的第二区域上形成第二牺牲层，第二牺牲层的厚度小于待沉积的上电极材料的厚度；在衬底上沉积下电极层材料并进行图形化，以形成第一下电极及第二下电极；沉积覆盖两个下电极的压电层(堆叠在第一下电极上的第一压电层和堆叠在第二下电极上的第二压电层)；在压电层上沉积上电极层材料并对其平坦化和图形化操作，以形成堆叠在第一压电层上的第一上电极和堆叠在第二压电层上且厚度小于第一上电极的第二上电极；移除牺牲层以形成空腔。本发明还提供一种半导体器件。本发明仅进行一次平坦化便可形成频率不同的薄膜体声波谐振器。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03H | 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 |
| ------H03H3/00 | 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 |
| --------H03H3/007 | .用于制造机电谐振器或网络 |
| ----------H03H3/02 | ..用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络 |