基本信息:
- 专利标题： 选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件
- 申请号：CN202310949014.7 申请日：2023-07-31
- 公开(公告)号：CN117133814A 公开(公告)日：2023-11-28
- 发明人： 高纪凡 , 王尧 , 刘绍阳 , 王子港 , 杨广涛 , 陈达明
- 申请人： 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 专利权人： 天合光能股份有限公司,天合光能(常州)科技有限公司
- 当前专利权人： 天合光能股份有限公司,天合光能(常州)科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 王花花
- 主分类号： H01L31/0216
- IPC分类号： H01L31/0216 ; H01L31/0224 ; H01L31/0236 ; H01L31/18 ; H01L31/20
摘要：
本申请涉及一种选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件。选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，包括：在硅基体的迎光面制备形成整面的超薄隧穿氧化层；在超薄隧穿氧化层上制备形成整面的掺杂多晶硅层；在掺杂多晶硅层上制备形成金属栅线电极；通过含氟气体，对未覆盖金属栅线电极区域的掺杂多晶硅层进行化学气相刻蚀，完全去除未覆盖金属栅线电极区域的掺杂多晶硅层或者在未覆盖金属栅线电极区域保留超薄掺杂多晶硅层。本申请利用金属栅线电极作为阻挡层进行含氟气体刻蚀，实现通过便捷的气相方式在电池迎光面制备选择性钝化接触结构，制备工艺及设备简单，降低成本，且保证迎光面的光学性能，有利于选择性钝化接触结构的大规模应用。