基本信息:
- 专利标题： 一种检测日本血吸虫抗体的HEMT传感器及其制备方法
- 申请号：CN202310883665.0 申请日：2023-07-19
- 公开(公告)号：CN117080264A 公开(公告)日：2023-11-17
- 发明人： 陆乃彦 , 呼圣杰 , 王玠 , 翁雨燕 , 杨国锋
- 申请人： 江南大学 , 江苏省血吸虫病防治研究所
- 申请人地址： 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号;
- 专利权人： 江南大学,江苏省血吸虫病防治研究所
- 当前专利权人： 江南大学,江苏省血吸虫病防治研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号;
- 代理机构： 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- 代理人： 吕永芳
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; G01N33/68 ; G01N33/543 ; H01L21/335 ; H01L29/423 ; H01L29/43 ; G01N27/414 ; G01N27/12
摘要：
本发明公开了一种检测日本血吸虫抗体的HEMT传感器及其制备方法，属于生物传感技术领域。所述传感器包括：衬底材料上依次形成的AlN成核层、UGaN缓冲层、LTGaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、Al0.25Ga0.75N势垒层、GaN帽层、源漏极、蜿蜒栅极和钝化层；所述蜿蜒栅极表面依次采用食人鱼、3‑氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛、SEA作为修饰物，修饰到传感区域，形成自组装分子膜。本发明采取无金弯曲栅结构，将自组装分子膜直接修饰在无栅区，提高传感器的灵敏，同时降低了成本。本发明检测时间短，操作简便，灵敏度高，能够为血吸虫预防控制工作提供重要帮助。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT |