基本信息:
- 专利标题： 极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法
- 申请号：CN202310906165.4 申请日：2023-07-20
- 公开(公告)号：CN117038711B 公开(公告)日：2024-11-19
- 发明人： 吴畅 , 王凯 , 刘捷龙 , 郭涛 , 邢绍琨
- 申请人： 湖北九峰山实验室
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号
- 专利权人： 湖北九峰山实验室
- 当前专利权人： 湖北九峰山实验室
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号
- 代理机构： 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 张文静
- 主分类号： H01L29/10
- IPC分类号： H01L29/10 ; H01L29/267 ; H01L29/423 ; H01L29/778 ; H01L21/34
摘要：
本发明提供一种极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件及其制备方法，上述极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道、栅极、接触层、Trench结构、源极和漏极；缓冲层和多个沟道依次叠加设于衬底上；沟道由叠加布设的沟道层和势垒层组成；沟道层与势垒层形成的异质结界面通过极化产生二维电子气；两个接触层设于多个沟道的两侧，任一接触层与二维电子气接触，接触层底部与缓冲层相接触，漏极与源极分别设于不同侧的接触层上；两个接触层间的沟道设有多个Trench结构，多个Trench结构间的沟道构成Fin结构，栅极设于Trench结构与Fin结构上，栅极与缓冲层、Fin结构的侧壁和顶部接触；势垒层为ε‑(Al
公开/授权文献:
- CN117038711A 极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法 公开/授权日：2023-11-10