基本信息:
- 专利标题： 产线追溯方法以及激光暗标
- 申请号：CN202311007689.6 申请日：2023-08-10
- 公开(公告)号：CN117038512A 公开(公告)日：2023-11-10
- 发明人： 周公庆 , 马列 , 刘宗刚 , 袁桃生 , 刘赖生
- 申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
- 申请人地址： 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
- 专利权人： 通威太阳能(眉山)有限公司
- 当前专利权人： 通威太阳能(眉山)有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
- 代理机构： 广州德科知识产权代理有限公司
- 代理人： 王世荣; 万振雄
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L23/544 ; H01L31/18
摘要：
本申请涉及电池生产技术领域，尤其涉及一种产线追溯方法以及激光暗标。产线追溯方法包括使用激光蚀刻初始硅片以在初始硅片上形成与自身对应的激光暗标；将带有激光暗标的初始硅片加工成目标硅片；测试目标硅片；根据测试结果筛选处于异常状态的目标硅片；根据处于异常状态的目标硅片的激光暗标定向追溯产线等步骤。本申请通过在初始硅片的表面通过激光蚀刻激光暗标，待初始硅片经多道工序加工形成目标硅片后，对目标硅片进行检测，若检测结果显示目标硅片处于异常状态，即可以通过识别激光暗标追溯并精确定位加工形成处于异常状态的目标硅片的产线，以及时对产线进行排障，缩短排障周期，降低目标硅片的返工率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |