基本信息:
- 专利标题： 包含四氟化锗混合气的离子注入系统、方法及掺杂物质
- 申请号：CN202311297320.3 申请日：2023-10-09
- 公开(公告)号：CN117038423A 公开(公告)日：2023-11-10
- 发明人： 邱凡 , 徐斌 , 张辉
- 申请人： 上海凡森璞瑞新材料股份有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区云桥路858号1幢202室
- 专利权人： 上海凡森璞瑞新材料股份有限公司
- 当前专利权人： 上海凡森璞瑞新材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区云桥路858号1幢202室
- 代理机构： 北京中珒知识产权代理事务所
- 代理人： 王中; 张硕
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H01J37/317 ; H01L21/265
摘要：
本发明公开一种包含四氟化锗混合气的离子注入系统、方法及掺杂物质，其包括：离子源装置，其配置为接收掺杂气体及离子化所述掺杂气体并由此形成离子束，其中所述掺杂气体由以下体积百分比的物质组成：四氟化锗30‑70%、氘氢混合气70‑30%，其中氘氢混合气中氘占比为10‑50%；或四氟化锗30‑70%、氘气70‑30%。通过本发明在离子注入中能够显著降低卤族元素效应，提升反应腔各部件寿命，降低颗粒污染，提升制程控制精度等。