![一种低残碱含量的钠离子正极材料及其制备方法和应用](/CN/2023/1/248/images/202311244623.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种低残碱含量的钠离子正极材料及其制备方法和应用
- 申请号:CN202311244623.9 申请日:2023-09-26
- 公开(公告)号:CN116995222B 公开(公告)日:2023-12-05
- 发明人: 赵建明 , 蔡伟华 , 郭启涛
- 申请人: 深圳华钠新材有限责任公司
- 申请人地址: 广东省深圳市坪山区碧岭街道沙湖社区锦龙大道2-10号5栋慧谷101
- 专利权人: 深圳华钠新材有限责任公司
- 当前专利权人: 深圳华钠新材有限责任公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市坪山区碧岭街道沙湖社区锦龙大道2-10号5栋慧谷101
- 代理机构: 广州艾维专利商标代理事务所
- 代理人: 黄强
- 主分类号: H01M4/505
- IPC分类号: H01M4/505 ; H01M4/525 ; H01M4/36 ; H01M4/62 ; H01M10/054
摘要:
本发明涉及一种低残碱含量的钠离子正极材料及其制备方法和应用。本发明通过采用非金属元素对钠离子正极材料进行包覆,同时在特定湿度和二氧化碳浓度的环境下进行粉碎、筛分处理,并加入少量的特定掺杂元素,可以显著降低材料材料表面残碱含量,并在后续高温处理过程后进一步显著降低表面残碱的含量,提高材料的结构稳定性和可加工性能,抑制钠离子不可逆向外脱出和晶格氧释出,可以明显提高正极材料的克容量、能量密度、倍率性能、循环寿命、安全性,减少产气。
公开/授权文献:
- CN116995222A 一种低残碱含量的钠离子正极材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2023-11-03