基本信息:
- 专利标题： 一种基于结构复合衬底异质外延生长金刚石的方法
- 申请号：CN202310172056.4 申请日：2023-02-28
- 公开(公告)号：CN116988150A 公开(公告)日：2023-11-03
- 发明人： 房诗舒 , 兰飞飞 , 王英民 , 程红娟 , 刘莎莎 , 李佳起
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址： 天津市河西区洞庭路26号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人地址： 天津市河西区洞庭路26号
- 代理机构： 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理人： 杨舒文
- 主分类号： C30B25/18
- IPC分类号： C30B25/18 ; C30B29/04
摘要：
本发明涉及一种基于结构复合衬底异质外延生长金刚石的方法，在氧化物单晶衬底上外延生长Ir薄膜；在单晶衬底的背面和侧面生长Ag薄膜；将结构性衬底在MPCVD中进行偏压增强形核；关掉MPCVD外接直流偏压电源，在形核后的衬底上生长连续的金刚石膜，得到异质外延金刚石层。Ag理化性质稳定，并且具有优异的导热导电性能，延展性极好，且成本较低。作为Ir衬底侧面和背面的导电镀层材料，使异质衬底与直流电源负极导通，解决了无法对绝缘异质衬底通过施加负偏压诱导金刚石形核的问题。在复合结构衬底上通过偏压增强形核得到高密度金刚石晶核，形核质量高，短时间内可生长得到连续的金刚石膜，从而提高异质外延金刚石单晶的质量。