基本信息:
- 专利标题： 金属膜的沉积
- 申请号：CN202310720841.9 申请日：2020-01-27
- 公开(公告)号：CN116970925A 公开(公告)日：2023-10-31
- 发明人： 约瑟亚·科林斯 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 汉娜·班诺克尔 , 帕特里克·范克利蒙布特 , 塞沙萨耶·瓦拉达拉简
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理人： 樊英如; 张静
- 优先权： 62/797,860 20190128 US
- 主分类号： C23C16/455
- IPC分类号： C23C16/455 ; H01L21/3205 ; H01L21/67 ; C23C16/34 ; C23C16/56 ; C23C16/30 ; C23C16/06
摘要：
本文提供用于逻辑及存储器应用的低电阻金属化堆叠结构及相关制造方法。在一些实施方案中，在沉积薄金属氮氧化物或金属氮化物成核层，之后进行纯金属导体的沉积。成核层为非晶形的，其使得大型纯金属膜晶粒生长模板化并降低电阻率。此外，以下描述的方法的一些实施方案将大部分或全部的金属氮氧化物成核层转化为纯金属层，从而进一步降低电阻率。