
基本信息:
- 专利标题: 一种多芯片的封装结构及制作方法
- 申请号:CN202310857207.X 申请日:2023-07-12
- 公开(公告)号:CN116884937A 公开(公告)日:2023-10-13
- 发明人: 胡津津 , 王利国 , 陈瑞田 , 刘磊 , 张强波
- 申请人: 天芯互联科技有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙岗区坪地街道高桥社区环坪路3号101
- 专利权人: 天芯互联科技有限公司
- 当前专利权人: 天芯互联科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙岗区坪地街道高桥社区环坪路3号101
- 代理机构: 深圳众鼎专利商标代理事务所
- 代理人: 姚章国
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/498 ; H01L23/24 ; H01L21/60 ; H01L23/482 ; H01L23/485
摘要:
本发明属于芯片封装技术领域,特别是涉及一种多芯片的封装结构及制作方法。一种多芯片的封装结构包括第一填充结构、第二填充结构、连接结构、基板和多个芯片,连接结构包括转接板和多个导电电极,任意相邻两导电电极之间设置有转接板,相邻两芯片连接同一转接板,转接板的上表面上设置有第一互联结构,转接板内设置有多个导电通孔,导电通孔与第一互联结构电连接,转接板的下表面上设置有连线层,导电电极的上表面上设置有第二互联结构,连接结构的下表面上设置有第三互联结构。芯片和芯片之间的高速互联部分通过转接板连接,芯片和芯片之间的低速互联部分通过导电电极和基板连接,以综合2.5D封装技术的传输速度快和2.3D封装技术的成本低的优势。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线、接线端装置 |