基本信息:
- 专利标题： 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺
- 申请号：CN202310967122.7 申请日：2023-08-02
- 公开(公告)号：CN116852183A 公开(公告)日：2023-10-10
- 发明人： 何丙才 , 郑宇 , 韩萍 , 李广振 , 刘鹏亮 , 张亮 , 姜伟 , 田凤阁 , 陈克强 , 韩佩鑫
- 申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
- 申请人地址： 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室;
- 专利权人： 山东有研半导体材料有限公司,有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人： 山东有研半导体材料有限公司,有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人地址： 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室;
- 代理机构： 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘秀青
- 主分类号： B24B1/00
- IPC分类号： B24B1/00 ; B24B7/22 ; B24B37/04 ; B24B37/10 ; B24B37/005 ; B24B49/00 ; B24B49/16
摘要：
本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％‑38％、研磨剂1.5％‑2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6；(2)使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％‑36％、研磨剂2.2％‑3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆，并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
公开/授权文献:
- CN116852183B 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺 公开/授权日：2024-04-02
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B24 | 磨削；抛光 |
| ----B24B | 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 |
| ------B24B1/00 | 磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备 |