基本信息:
- 专利标题： 掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质
- 申请号：CN202311111057.4 申请日：2023-08-31
- 公开(公告)号：CN116819911B 公开(公告)日：2023-10-31
- 发明人： 和琨 , 牛志元 , 陈健 , 杜德川
- 申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
- 申请人地址： 北京市大兴区荣华中路22号院1号楼31层3101
- 专利权人： 光科芯图(北京)科技有限公司
- 当前专利权人： 光科芯图(北京)科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区荣华中路22号院1号楼31层3101
- 代理机构： 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理人： 张韬
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; G03F1/76
摘要：
本申请涉及半导体制造的光刻技术领域，公开了掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质，本申请在每次迭代中主节点都会将目标像素点的像素值分别分发给不同的从节点，从而实现主节点和至少一个从节点一起并行地计算自身存储的局部图案与其对应的子成像图案之间的相似度，进而确定预设掩模图案的优化结果，不再需要传统的基于直接搜索算法优化掩模图案的方法中，对掩模图案对应的整个成像图案与整个目标图案之间相似度的计算，将计算时间缩短为原来的1/N，加速比为原来的N倍，N为曝光设备中所有节点的个数，实现了直接搜索算法的并行执行，从而提高了掩模图案的优化效率。
公开/授权文献:
- CN116819911A 掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质 公开/授权日：2023-09-29