基本信息:
- 专利标题： 一种高介电常数旋矩铁氧体材料及其制备方法
- 申请号：CN202310760683.X 申请日：2023-06-27
- 公开(公告)号：CN116813322A 公开(公告)日：2023-09-29
- 发明人： 杨菲 , 鲜聪 , 谢斌 , 任仕晶 , 陈建杰 , 孔伟
- 申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 申请人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 专利权人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 代理机构： 成都市熠图知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨兵
- 主分类号： C04B35/26
- IPC分类号： C04B35/26 ; C04B35/622
摘要：
本发明属于磁性材料领域，公开了一种高介电常数旋矩铁氧体材料及其制备方法，其化学式组成为：BiaCa0.45Y2.55‑a‑b‑cGdb(SnxZr1‑x)0.45(MnCe)cFe4.55‑cO12，其中0.8≤a≤1.0，0.7≤b≤1.2，0.05≤c≤0.1，0.1≤x≤0.9，通过氧化物固相反应法制备；采用适量的Bi3+取代，可将材料的介电常数由14提升至20以上；通过调控Gd3+含量，对剩磁进行调控，同时提升材料温度稳定性；Sn4+、Zr4+联合取代，并将联合体取代量设定为定值，将材料各向异性常数保持在较低值，降低损耗；采用Mn2+、Ce4+联合取代，提高材料剩磁稳定性，增加剩磁比。本发明的旋矩铁氧体材料具有介电常数高、剩磁比高、矫顽力低、电磁损耗小等特点，可满足铁氧体开关、移相器小型化对材料高介电常数、高剩磁比、低损耗的需求。
公开/授权文献:
- CN116813322B 一种高介电常数旋矩铁氧体材料及其制备方法 公开/授权日：2024-07-26