基本信息:
- 专利标题： F/Mg共掺前驱体材料、单晶富锂锰基正极材料及其制备方法
- 申请号：CN202310787363.3 申请日：2023-06-29
- 公开(公告)号：CN116812992A 公开(公告)日：2023-09-29
- 发明人： 彭工厂 , 郭志豪 , 王昊 , 苏子豪 , 瞿美臻
- 申请人： 中国科学院成都有机化学有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市天府新区兴隆街道鹿溪口北路519号
- 专利权人： 中国科学院成都有机化学有限公司
- 当前专利权人： 中国科学院成都有机化学有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市天府新区兴隆街道鹿溪口北路519号
- 代理机构： 成都睿道专利代理事务所
- 代理人： 蒋珊珊
- 主分类号： C01G53/00
- IPC分类号： C01G53/00 ; H01M4/505 ; H01M4/04 ; H01M10/0525 ; H01M4/62
摘要：
本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了F/Mg共掺前驱体材料、单晶富锂锰基正极材料及其制备方法，F/Mg共掺前驱体材料的制备方法包括如下步骤：A1分别制备含Mg2+的硫酸盐溶液、含F‑的碱溶液，混合，反应，分离，得到固渣和清液；A2取固渣和清液，加入表面活性剂，置于高压条件下，进行水热反应，分离、洗涤、干燥，得到所述F/Mg共掺前驱体材料；表面活性剂的用量为水热反应原料的0.1～10wt％。采用共沉淀、水热处理以及高温烧结等手段制备具有单晶形貌的F/Mg共掺前驱体材料，可解决多元素掺杂富锂锰基正极材料存在的电压和容量持续衰减的问题。