基本信息:
- 专利标题： 半导体封装及其制造方法
- 申请号：CN202310856539.6 申请日：2017-01-25
- 公开(公告)号：CN116779592A 公开(公告)日：2023-09-19
- 发明人： 李琼延 , 李泰勇 , 新闵哲 , 欧瑟门
- 申请人： 艾马克科技公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那州
- 专利权人： 艾马克科技公司
- 当前专利权人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 景厦
- 优先权： 15/297,365 20161019 US 15/297,365 20161019 US
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/768
摘要：
本发明提供一种半导体封装及其制造方法，制造所述半导体封装的所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |