基本信息:
- 专利标题： 具有PN结的半导体结构及其制备方法
- 申请号：CN202310756018.3 申请日：2023-06-25
- 公开(公告)号：CN116759302A 公开(公告)日：2023-09-15
- 发明人： 廖黎明 , 仇峰 , 胡林辉 , 张蔷
- 申请人： 上海积塔半导体有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
- 专利权人： 上海积塔半导体有限公司
- 当前专利权人： 上海积塔半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
- 代理机构： 上海盈盛知识产权代理事务所
- 代理人： 赵娟娟
- 主分类号： H01L21/225
- IPC分类号： H01L21/225 ; H01L29/06
摘要：
本申请提供一种具有PN结的半导体结构及其制备方法。本申请具有PN结的半导体结构通过改变光阻层形貌，设置开口边缘处的光阻层的厚度小于其它区域的光阻层的厚度，使得在开口边缘处对应的局部区域由于光阻层的厚度较小从而离子注入浓度较小，开口中心区域离子注入正常从而获得正常的离子注入浓度，使得PN结的离子注入浓度较低、可有效提高PN结反向耐压，且不会增加PN结占用面积；同时阱区其它区域的离子注入浓度正常，避免了对其它器件的电性改变。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/225 | .....应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层 |