基本信息:
- 专利标题： 半导体器件的制作方法与半导体器件
- 申请号：CN202310706958.1 申请日：2023-06-13
- 公开(公告)号：CN116741704A 公开(公告)日：2023-09-12
- 发明人： 谢斌根 , 林成芝
- 申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 汪凡
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/311
摘要：
本申请提供了一种半导体器件的制作方法与半导体器件，该方法包括提供基底，基底包括衬底、有源区、栅极结构、电流泄放结构、阻挡层以及介质层；刻蚀去除介质层，以在介质层中形成第一预备孔、第二预备孔与第三接触孔，第三接触孔使电流泄放结构裸露，第一预备孔在衬底上的投影与栅极结构重叠，第二预备孔在衬底上的投影与有源区重叠；在第三接触孔中填充保护材料，并继续刻蚀，形成第三预备孔与第四预备孔，第三预备孔使栅极结构上的阻挡层裸露，第四预备孔使有源区上的阻挡层裸露；去除裸露的阻挡层，得到使栅极结构裸露的第一接触孔与使有源区裸露的第二接触孔；去除保护材料。本申请解决了刻蚀形成不同深度的接触孔的过程损伤栅极的问题。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |